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2021-02-04

在自然界中存在的物質(zhì)一般可分為4大類,即金屬、塑料、陶瓷、復(fù)合材料。聚合物鐵電復(fù)合材料是一種聚合物和鐵電陶瓷的復(fù)合材料。鐵電材料具有廣泛的應(yīng)用,因?yàn)樗母呓殡娦越殡姵?shù)。但它具有機(jī)械強(qiáng)度差和較低的斷裂強(qiáng)度,可以由聚合物矩陣來補(bǔ)償。聚合物具有良好的機(jī)械性能、易于合成、低聲波阻抗和高介電擊穿強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn),但缺點(diǎn)是較低的介質(zhì)常數(shù)。類似地,陶瓷力學(xué)性能很差、脆弱、聲波阻抗高、擊穿強(qiáng)度降低,但有著較高的介電常數(shù)。此外,通過改變成分的性質(zhì),材料的性能可以被調(diào)諧為所需要的。因?yàn)檫@是一個(gè)比較新...

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2021-02-03

不同組成的晶體,熱導(dǎo)率往往有很大的差異。這是因?yàn)闃?gòu)成晶體質(zhì)點(diǎn)的大小、性質(zhì)不同,它們的晶格振動(dòng)狀態(tài)不同,傳導(dǎo)熱量的能力也就不同。一般說來,組成元素的原子量愈小、晶體的密度愈小、楊氏模量愈大、德拜溫度愈高的,其熱導(dǎo)率愈大,這樣輕元素的固體或有大的結(jié)合能的固體熱導(dǎo)率較大。如金剛石的λ=1.7×10-2W/(m?k);而較重的硅、儲(chǔ)的熱導(dǎo)率則分別為1.0×10-2w/(m?k)和0.5×10-2W/(m?k)。圖4.1-21石英與石英玻璃熱導(dǎo)率與溫度關(guān)系圖4.1-22表示出某些氧化物...

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2021-02-03

從18世紀(jì)中葉由BenjaminFranklin開始對(duì)固體的導(dǎo)熱能力進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究以來,已經(jīng)歷了200多年。其間發(fā)展了多種多樣測量物質(zhì)導(dǎo)熱系數(shù)的方法,經(jīng)美國普渡大學(xué)(PurdueUniversity)熱物性資料和數(shù)據(jù)分析中心CINDAS(CenterofIn-formationandNumericalDataAnalysisandSynthesis)的前身熱物理性質(zhì)研究中心TPRC(ThermophysicalPropertiesResarchCen-ter)分析歸納為若干類別...

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2021-02-02

由于在固體材料中熱傳導(dǎo)機(jī)構(gòu)和過程是很復(fù)雜的,對(duì)于熱導(dǎo)率的定量分析顯得十分困難,因此下面對(duì)影響熱導(dǎo)率的一些主要因素進(jìn)行定性地討論。今天主要看一下溫度對(duì)導(dǎo)熱的影響由式(4.1-51)可知,在以聲子導(dǎo)熱為主的溫度區(qū)間,決定熱導(dǎo)率的因素有材料的熱容C、聲子的平均速度v。自由程l。其中v通??煽醋鞒?shù),只有在溫度較高時(shí),由于介質(zhì)的結(jié)構(gòu)松弛和蠕變,使介質(zhì)的彈性模量迅速下降,才使v減小,如對(duì)一些多晶氧化物測得在溫度高于1000~1300K時(shí)就出現(xiàn)這一效應(yīng)。熱容C與溫度的關(guān)系是已經(jīng)知道的,在...

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2021-02-02

聲子傳導(dǎo)與晶格振動(dòng)的非諧性有關(guān),晶體結(jié)構(gòu)愈復(fù)雜,晶格振動(dòng)的非諧性程度愈大,格波受到的散射愈大,因此聲子平均自由程較小,熱導(dǎo)率較低。例如鎂鋁尖晶石的熱導(dǎo)率比Al2O,和MgO的熱導(dǎo)率都低。莫來石的結(jié)構(gòu)更復(fù)雜,所以熱導(dǎo)率比尖晶石還低得多。對(duì)于非等軸晶系的晶體,熱導(dǎo)率也存在著各向異性的性質(zhì)。例如石英、金紅石、石墨等都是在膨脹系數(shù)低的方向熱導(dǎo)率大。溫度升高時(shí)不同方向的熱導(dǎo)率差異趨于減小,這是因?yàn)楫?dāng)溫度升高,晶體的結(jié)構(gòu)總是趨于更高的對(duì)稱性。對(duì)于同一種物質(zhì),多晶體的熱導(dǎo)率總是比單晶小,圖...

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2021-01-29

鐵電存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元一般有兩結(jié)構(gòu),分別為1T1C(Onetransistoronecapacitance)結(jié)構(gòu)和2T2C(Twotransistortwocapacitance)結(jié)構(gòu),如圖2-3所示。前者使用一個(gè)晶體管及一個(gè)鐵電電容組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,而后者則各為兩個(gè)。1T1C結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是能夠大的節(jié)省存儲(chǔ)單元所占芯片面積,但是該結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致陣列中位線(BitLine)的電壓差變低,讀出時(shí)對(duì)靈敏放大器的要求會(huì)更高;2T2C結(jié)構(gòu)雖然會(huì)使用更大的面積,但是由于每個(gè)存儲(chǔ)單元都含有兩個(gè)...

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2021-01-28

當(dāng)浸泡在腐蝕介質(zhì)中的金屬有外加電流流過時(shí),同樣會(huì)發(fā)生腐蝕金屬電極的極化。在外加陽極電流作用下,金屬的電位由自然腐蝕電位Ecorr向正方向移動(dòng),一般情況下使腐蝕速度增大;在外加陰極電流作用下,金屬的電位由自然腐蝕電位Ecorr向方向移動(dòng),減小了氧化電流,從而使腐蝕速度下降。極化曲線的實(shí)際測量通常是在外加電流作用下進(jìn)行的。極化曲線測量方法一般可分為兩類:1.控制電流法以電流為自變量,遵循規(guī)定的電流變化程序,測定相應(yīng)的電位隨電流的函數(shù)關(guān)系??刂齐娏鞣ǖ膶?shí)質(zhì)是,在每一個(gè)測量點(diǎn)及每一個(gè)...

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